NVE社のIL01x低消費電力デジタルアイソレータは、NVEの特許取得済みスピントロニックトンネリング磁気抵抗(TMR)テクノロジを使用して、
電力効率とスピードの顕著な組み合わせを実現しています。
ユニークなセラミックス/ポリマ・コンポジットバリアにより、優れた絶縁性と事実上無制限のバリア寿命が実現します。
ユニークなデザイン感覚はキャリアやクロックを持たず、EMIエミッションに優れています。
また、さまざまな2チャンネルと4チャンネルの構成をご用意できます。
<特徴> ・ 静止電流 0.3 mA /チャンネル(Typ.) ・ 最大データ転送レート10 Mbps ・ 動作温度 -40℃〜+ 100℃ ・ 低EMI放射のキャリアまたはクロックなし ・ 耐用年数44000年 ・ 50 kV /μs(Typ.)のコモンモード過渡耐性 ・ 優れた外部磁気耐性 ・ VDE V 0884-11認証およびUL 1577の登録申請中。 ・ SOIC8およびワイドボディ16ピンSOICパッケージ <アプリケーション> ・ 4-20 mAループ電源制御 ・ バッテリ駆動機器 ・ SPI•多重データ伝送 ・ グランドループ除去 ・ 論理レベルシフト